077 “价值 10 亿美元”的商业机密

3D IC封装技术是芯片制造领域的重要突破，通过立体芯片堆叠封装实现芯片层间互联技术，解决传统平面封装的性能限制。相较于2.5D封装，3D IC封装需克服散热和晶体管连接难题，其中存储芯片因标准化更易实现堆叠，而逻辑芯片因功能多样面临更高挑战。
SOC（手机系统化芯片方案）通过整合CPU、GPU等模块推动智能手机小型化发展，但其设计复杂度和成本随工艺升级（如5nm至3nm）急剧上升，导致行业门槛提高。为应对SOC的局限性，SOIC（多芯片堆叠封装技术）应运而生。该技术采用星粒技术，将不同工艺的裸片通过3D堆叠封装，例如台积电的WOW方案利用硅通孔互联实现多层芯片高效连接，兼顾性能与成本。
SOIC的核心优势在于模块化设计，类似活字印刷，通过复用裸片降低设计成本，并支持混合工艺集成。例如第二代骁龙服务器CPU结合7nm和14nm模块，提升成品率的同时优化算力。然而，SOIC需解决裸片封装良品率问题，因单一裸片缺陷可导致整体失效。
台积电的先进封装技术（如7nm COW/WOW）已投入量产，率先应用于高性能运算领域，满足人工智能等高算力芯片需求。其核心材料——硅通孔互联中的关键粘合层——被称作价值10亿美元的商业机密，成为技术竞争的核心壁垒。未来，SOIC技术将持续推动芯片封装创新，拓展在5G和AI领域的应用前景。