112 从 2 纳米到 1 纳米

2纳米芯片制造技术与GAA架构芯片技术的突破
IBM于2021年宣布推出全球首个2纳米芯片制造技术，采用GAA架构芯片技术，可在指甲盖大小的芯片上实现500亿晶体管密度提升技术，相比7纳米技术运算速度提升45%，效能优化75%。该技术由IBM联合三星电子和英特尔开发，预计2025年量产。三星的3纳米GAA架构技术也受此推动加速商业化进程。
台积电先进工艺研发与半导体供应链体系优势
台积电凭借成熟的半导体供应链体系和多元化客户群，持续巩固制造优势。其2纳米工艺研发自2019年启动，2021年在GAA架构上取得突破，计划2025年量产。同时，台积电在台湾新竹建设半导体研发中心，聚焦未来20-30年科技材料研发，目标打造类似贝尔实验室的创新基地。
新型半导体材料研发与摩尔定律极限突破
台积电与麻省理工学院、台湾大学合作研发出二维半导体材料，以二硫化钼替代硅基材料，降低电阻并提升电流传输效率。该技术与硅基工艺兼容，有望突破摩尔定律极限。台积电通过产学研合作模式，与全球顶尖高校持续探索晶体管、导线及材料的颠覆性创新。
高端光刻机技术与等离子刻蚀机技术进展
台积电1纳米工艺需依赖ASML的高端光刻机技术，其高数值孔径光刻机预计2025年应用于1纳米试产。中微半导体则指出，等离子刻蚀机技术若实现原子级精度，可支持1纳米工艺。ASML预测，2030年将出现集成3000亿晶体管的芯片，进一步推动半导体产业迭代。