111 第十五章：3 纳米级别的较量

3纳米工艺竞争格局与技术路线
台积电与三星电子在3纳米工艺领域展开激烈竞争。三星电子采用创新的GAAFET晶体管技术，通过四面包裹硅纳米线结构提升性能并降低功耗，计划借此实现技术超车。而台积电3纳米工艺沿用成熟的FINEFET方案，凭借高良率与稳定产能占据市场主导地位。
市场需求与先进工艺应用
5G、人工智能与高效能运算的快速发展推动了对3纳米芯片的需求。智能手机SoC芯片仍是先进工艺的首批应用场景，苹果、高通等厂商优先抢占产能，随后延伸至数据中心、AI服务器及游戏机芯片领域。台积电3纳米量产三个月后产能达4.5万片/月，印证市场对高性能芯片的迫切需求。
三星电子的激进策略与技术风险
三星电子在3纳米阶段提前导入GAAFET技术，但其初期良率仅10%-20%，远低于台积电的成熟标准。此前三星在7纳米工艺上过早应用EUV光刻技术导致失利，此次再次面临超前摩尔定律的风险。同时，三星通过《半导体愿景2030》计划加码投资，目标在非存储半导体领域超越台积电与英特尔。
全球晶圆厂技术路线与量产进展
2021年全球晶圆厂技术路线图中，仅台积电5纳米工艺如期量产，三星跳过4纳米直接转向3纳米，英特尔10纳米++工艺多次延期至2023年。中芯国际7纳米工艺量产时间仍未明确。技术迭代的节奏差异与量产稳定性成为影响厂商竞争力的关键因素。